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国家存储器基地项目一期工程厂房封顶

日期:2017-11-10 13:10:56编辑作者:申博

由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房,实现提前封顶。这标志着开工9个月的国家存储器基地项目建设向前迈出了坚实一步。省市有关领导及相关部门参加了封顶仪式,我委党蓁主任参加活动。

 

 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城,项目一期规划投资240亿美元,占地面积1968亩,于2016年12月30日正式开工建设,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。此次提前封顶的项目(一期)一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡,预计将于2018年投入使用。项目(一期)达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

        目前,东湖高新区已为国家存储器基地项目规划建设1100亩配套产业园区和1500亩国际社区用地,正在加快引进产业链顶级配套企业和国际化人才;并加快建设武汉国际微电子学院,组建长江芯片研究院、国家先进存储产业创新中心、存储芯片联盟、国家IP交易中心,努力打造世界级的集成电路产业创新中心。

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